13 июля 2005
IS61WV6416BLL, IS64WV6416BLL
Новые микросхемы SRAM от ISSI
Фирма ISSI представила новые микросхемы статической памяти ёмкостью 16К*16. Изделия выполнены по технологии с точностью 0,15 мкм. Её применение позволило обеспечить время реакции 12 и 15 нс.
Микросхемы питаются от низкого напряжения 3,3 В и имеют низкую потребляемую мощность, что делает возможность применять их не только в промышленных и автомобильных приложениях, заявленных производителем, но и в разнообразных мобильных устройствах и распределённых системах.
4 октября 2004
IS61xPx51236A/102418A.
18-Мегабитные микросхемы конвейерной статической памяти от ISSI
Изделия являются высокоскоростными, малопотребляюшими синхронными статическими микросхемами памяти для высокоответственных приложений: коммуникационного орборудования, кешей, высокоскоростных сетей, видеоприложений.
IS61xPx51236A организована в виде 524288 слов по 36 бит каждое.
IS61xPx102418A организована в виде 1048576 слов по 18 бит каждое.
Микросхемы реализованы по CMOS-технологии.
Механизм побитной адресации позволяет записывать каждый бит индивидуально.
Реализован самосинхронизиующийся цикл записи.
Доступ к адресу, данным, управления раздельный по времени.
Технические параметры:
