Новые силовые полупроводники
24 января 2007
ACPL-P456, -W456 и -P480
Гальваническая развязка для модулей питания от Avago
Новое семейство микросхем предназначено для разработки импульсных модулей питания в сжатые сроки.
Изделия ориентированы на управление IGBT-транзисторами. Температурный диапазон -40...+100oС
позволяет использовать их в аппаратуре промышленного и специального назначения. Микросхемы выполненны в миниатюрном корпусе SO-6.
Напряжение развязки 1500 В.
Ток управления 10 мА.
Задержка распространениия сигнала 450 нс.
[Datasheet]
5 января 2007
Материал с тепропроводностью, зависящей от направления
В университете Беркли создат материал с уникальными свойствами - аналог "Демона Максвела", тепловой выпрямитель.
Его применение создаёт предпосылки для создания систем теплоотвода в непревзойдёнными свойствами.
Пока различие в теплопроводности в противоположных направлениях составило только 7%. Теперь остаётся ждать дальнейшего совершенствования и промышленного внедрение материала.
Принцип действия основан на применении нанотрубок.
C.W. Chang, D. Okawa, A Majumdar, A Zettl. Solid-state termal rectifier // Science 17, Nov. 2006, vol. 314, # 5802, p. 1121.
12 июля 2005
IRF6619, IRF6633
Новые MOSFET-транзисторы для DC-DC-преобразователей
от International Rectifier
DC-DC-преобразователи – быстроразвивающаяся отрасль электроники, от их оптимальной реализации сильно зависят технические характеристики аппаратуры в целом. Поэтому внедрение специализированной элементной базы – важная составляющая конкурентоспособности радиоэлектронной продукции.
Фирма IR представила два MOSFET-транзистора, позволяющая реализовывать высокоэффективные высокочастотные преобразователи. Конструкция корпуса транзисторов – низкопрофильная. Высота равна 0,7 мм. Такой же профиль имеют корпуса SO-8, применяемые во многих микросхемах DC-DC-преобразователей. Корпуса ориентированы на отвод тепла с обеих поверхностей и имеют повышенную теплопроводность.
Оба транзистора рассчитаны на напряжения 20 В. Электрические характеристики транзисторов сведены в таблицу.
| Наимен. |
Корпус |
Функция |
BVDSS (V) |
RDS(on) max @10V (mOhm) |
RDS(on) max @4.5V (mOhm) |
VGS(V) |
ID @ Tc=25oC(A) |
QG typ(nC) |
QGD typ(nC) |
| IRF6619 |
DirectFET™ MX |
Synch FET |
20 |
1.65 |
2.2 |
20 |
150 |
38 |
13.2 |
| IRF6633 |
DirectFET™ MP |
Control FET |
20 |
5.6 |
9.4 |
20 |
59 |
11 |
4 |
9 ноября 2004
Новые низковольтные
транзисторы
OptiMOS MOSFETs
SPx1xxN04
от Infineon
Ряд n-канальных транзисторов на напряжения 40, 55 и 75 В являются лучшими в своём
классе изделий. Идеальны для автомобильных приложений. Транзистор SPB160N04S2L-03 на
напряжение 40 В имеет рабочий постоянные ток равный 160 А, в импульсе до 640 А при
температуре до +100оС.
Диапазон рабочих температур до +175оС.
Типичное время восстановления 62 нс (100 А/мкс).
Сопротивление в
закрытом состоянии не менее 2,9 мОм.
Для математического моделирования прибора и сокращения сроков внедрения Infineon
предлагает модели приборов для систем PSpice и Saber.
Применение: выключатели батарей, системы защиты, драйверы двигателей, автомобильная
техника.
1 ноября 2004
Обзор силовой электроники от Infineon
Малогабаритные коммутаторы предназначены для автомобильной техники, но могут быть использованы и для других приложений, благодаря своей надёжности и невысокой цене. Семейство TEMPFET – быстрые коммутаторы (до 1 МГц) на n-канальных MOSFET-транзисторах. Защищены от перегрева, конструкция корпусов позволяет эффективно отводить тепло и использовать современные теплоотводящие материалы Bergquist. Семейство HITFET – коммутаторы для дискретных и аналоговых сигналов. Рассчитаны на рабочие напряжения до 60 В и токи от 1 до 21 А. Оснащены разветвлённой системой защиты. Smart Multichannel Switches – 6, 12, 18-канальные коммутаторы для реализации малогабаритных систем. Питание от 5 или 3,3 В.
Выпускаются так же более мощные приборы семейств mini-PROFET, PROFET и др.
Микросхемы для DC/DC – конвертеров. Семейство CoreControl-PWM – современные 2-4 фазные преобразователи с автоматическим выбором количества фаз, мягким стартом и программируемой частотой преобразования (50…400 кГц). Имеется защита от перегрева. Семейство CoreControl-Gate Driver – преобразователи с напряжением питания 12 В и частотой преобразования до 1 МГц. Имеют расширенные температурный диапазон до 150оС. Семейство CoreControl-Integrated Switch – драйвер и силовой MOSFET-ключ в одном корпусе TO220-7. Имеют эффективную тепловую защиту и рабочую температуру до 150оС.
Семейство HighSpeed и другие на напряжения 600 и 1200 В и рабочие частоты 10 и 30 кГц. Семейство LightMOS для электронных балластов 3 А, 600 В, лампы 40…120 Вт.
Изделия для управления электродвигателями. Мостовые схемы и драйверы управления двигателями постоянного тока и шаговыми.
Микросхемы драйверы поддерживают рабочие частоты до 30 кГц, что обеспечивает высококачественное управление двигателями любой мощности. Система защиты позволяет сохранять работоспособность в самых различных нештатных ситуациях. Мосты построены на силовых MOSFET-транзисторах на ток до 7 А (для пропорционального управления). Интегрированные с силовыми цепями драйверы шаговых двигателей обеспечивают выходной ток до 750 мА на канал, а так же эффективную защиту и диагностику состояния системы.
Регуляторы напряжения для промышленных и автомобильных приложений. Поддерживают входные напряжения до 65 В и ток до 2 А. Выпускаются 1-канальные и 3-канальные модели. Рабочий диапазон температур –40…+150оС.
Микросхемы для управления импульсными AC/DC преобразователями
Позволяют эффективно преобразовывать энергию в необходимый вид при использовании минимального количества компонентов. Семейство PWM-FF для реализации недорогих узлов питания мощностью до 300 Вт. Работают на фиксированных частотах 67, 100, 110 кГц. Семейство PWM-QR для реализации квазилинейных узлов питания мощностью до 300 Вт. Поддерживают обратную связь через оптопару для стабилизации выходного напряжения. Семейство PWM-DCM для реализации импульсных узлов питания с коррекцией фактора мощности и детектором нулевого тока. Семейство PWM-CCM для реализации узлов питания с режимом линейной проводимости. Коммутаторы мощности работают на частотах 50…250 кГц. Цикл регулирования до 95% точности возможен с частотой до 125 кГц. Встроен генератор опорного напряжения точностью ±2%. Семейство PWM (FF) + PFC (CCM) combi control IC объединяет преимущества режимов с фиксированной частотой и линейной проводимости и позволяют реализовать узлы питания мощностью до 200 Вт с очень хорошим соотношением цена / качество.
Микросхемы для управления импульсными DC/DC преобразователями
Реализуют с минимальным количеством навесных компонентов DC/DC преобразователи различной мощности. Для коммутации силовой цепи используются MOSFET-транзисторы.
Специальные микросхемы для промышленных применений.
Операционные усилители с напряжением питания 3…36 В и выходным током до 100 мА. Интерфейсы цифровых датчиков и мощных транзисторов с высоковольтными цепями защиты (до 2000 В). Микросхемы защиты выходов от короткого замыкания. Микросхемы для реализации аварийных звуковых оповещателей (гонгов). Микросхемы для регулировки мощности в нагрузке и другие изделия с расширенным температурным диапазоном.
Силовые MOSFET-транзисторы. Выпускаются на рабочие напряжения от 20 до 800 В. Могут быть использованы для управления как слаботочными, так и силовыми цепями.
Силовые IGBT-транзисторы для промышленного применения.
Диоды. Мощные диоды и диоды Шоттки на напряжения 300, 600, 1200 В.
15 октября 2004
LightMOS Ilx03N60
IGBIT-транзистор для электронных балластов от
Infineon
Данное изделие рассчитано на рабочее напряжение 600 В и ток 3 А. При производстве использована технология LightMOS, промежуточная между IGBT и MOSFET. Соединяет в себе преимущества обоих технологий в приложении к электронным балластам для газоразрядных ламп. В изделие интегрирован защитный диод. Сопротивление в открытом состояние на 600 В составляет 1,5…3 Ом. Имеется термостабилизация. Новое изделие должно заменить MOSFET-транзисторы в электронных балластах.
Поставляется в корпусах: TO-220, TO-252 (DPAK), TO-263 (D2PAK), TO-220 (SMD).
